产品详情
40%效率聚光三结电池;
GalnP₂/InGaAs/Ge结构，性能稳定;
多层减反射膜，在300-1800nm反射率低;
封装增益(针对二次镜优化减反射膜);
在500到1000倍太阳光下可稳定工作;
优化的栅线电极，提高输出效率;
双面均可焊接;
电池尺寸可按客户要求设计;
可在恶劣气候下正常工作;
产量: 3兆瓦/月。
电池规格
| 电池材料 | GalnP₂/InGaAs/Ge |
| 减反射膜 | TiOx/Al₂O₃ |
| 芯片尺寸 | 11 * 10.2mm² ± 0.01mm² |
| 有效面积 | 100 mm² |
| 芯片厚度 | 175 ± 20μm |
| 电池极性 | N-P |
| 正面电极 | ~6 μm |
| 背面电极 | ~4 μm |
500倍聚光条件下典型Ⅰ-Ⅴ曲线
光电性能
| 聚光倍数 | Isc(A) | Voc(V) | Imp(A) | Vmp(V) | FF | Eff. |
| X 500 | 7.563 | 3.121 | 7.289 | 2.823 | 87.18% | 41.15% |
| X 1000 | 15.015 | 3.235 | 14.502 | 2.782 | 83.06% | 40.34% |
测量条件：AM1.5G,T= 25℃,50W/cm²(x500),100W/cm²(X1000)
聚光太阳电池是用凸透镜或抛物面镜把太阳光聚焦到几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后投射到太阳电池上。这时太阳电池可能产生出相应倍数的电功率。它们具有转化率高，电池占地面积小和耗材少的优点。高倍聚光电池具有代表性的是三结砷化镓电池。
高光电转换效率：理论转化效率高。
宽光谱吸收：全光谱吸收95%的太阳光能量、弱光也发电。
耐温性：在390℃的条件下仍可以正常工作， 高温不敏感。
低能耗的制造过程：是晶硅光伏电池的五分之一。
砷化镓：（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料。
聚光太阳能光伏电池是[聚光型太阳能光伏电池(Concentrator Photovoltaic)]+[高聚光镜面菲涅尔透镜(Fresnel Lenes)]+[太阳光追踪器(Sun Tracker)]的组合，其太阳能能量转换效率可达31%～40.7%，虽然转换效率高但是由于向阳时间长，过去用于太空产业，现在搭配太阳光追踪器可用于发电产业，聚光型太阳能光伏电池主要材料是聚光砷化镓(GaAs)，也就是三五族(III-V)材料，即三结砷化镓电池，聚光型不同于硅晶圆太阳能技术，透过多接面化合物半导体可吸收较宽广之太阳光谱能量，可吸收太阳光谱中400～1,200nm波长之能量，目前以发展出三接面InGaP/GaAs/Ge的聚光型太阳电池可大幅提高转换效率，而且聚光型太阳能电池的耐热性比一般晶圆型太阳能电池又来的高。
能量转换率比较：
薄膜型太阳能(7%～12%)、晶圆型太阳能(12%～20%)、传统核能电厂(30%)、火力发电(36.8%)、聚光型太阳能(31%～40.7%)、新式核能电厂(42～57%)