砷化镓是继锗和硅之后的所谓第三代半导体。20世纪50年代开始研究其性质。1970年前后多种砷化镓器件的生产工艺渐趋成熟,产品已商品化。作为半导体砷化镓的性能胜过锗,还具有一些比硅好的性能(如电子迁移率高),其器件比硅器件动作速度快,广泛用于雷达、导弹、计算机、人造卫星、宇宙飞船、导航设备、遥测系统等尖端技术。
目前一些国家正在着手研究的这种新型太阳能电池,有可能取代硅太阳能电池而成为人造卫星、宇宙飞船、空间站及其他航天飞行器的主要电源。中国上海研制的高效砷化镓太阳能电池在1988年首次成功地进行了卫星标定,电池光电转换系数效率为15.8%,绕地球飞行1个月,标定误差0.24%,高于国际上同类产品在航天飞机上1984年的标定水平,使我国成为世界上取得高效率砷化镓太阳电池空间标定实验成功的极少数国家之一。
典型产品性能参数
产品型号 | 1U顶/底板&侧板 | 2U侧板 | 3U侧板 | 6U侧板 |
基板材料 | FR4/Kapton铝 | |||
功率(W) | 2.27/2.02 | 4.3 | 7.56 | 15.1 |
电池材料 | 三结砷化镓(GaAs) | |||
重量(g) | 42 | 84 | 126 | 252 |
链接方式 | 2S9P | 2S17P | 2S28P | 2S56P |
尺寸mm | 顶/底板:98*98 | 83*211.5 | 83*338 | 182.6*338 |
寿命a | 1a | |||
工作温度℃ | -55~+90 | |||
单片效率 | 27% | |||
太敏及温度传感器 | 可选 | |||
板子厚度mm | 1.8 | |||
盖片厚度mm | 0.12 |
可选配件:太阳敏感器、温度传感器、磁力矩器、MEMS陀螺仪